مدل: Ivy Bridge-E
سازنده: اینتل
سوکت: LGA 2011-v3 Intel
Lithography: 22 نانومتر
Transistors: 1.860 میلیارد
تعداد هسته: 4 هستهای
Thread of Core: 8 رشتهای
بسامد مبنا: 100 مگاهرتز
Multiplier Factor: 39
توضیحات وضعیت ضرب کننده: باز (Unlocked)
فرکانس مرجع: 3.9 گیگاهرتز
قدرت طراحی حرارتی: 130 وات
نوع حافظه پشتیبانی شده: DDR3
سایر قابلیت ها: SSE2 - F16C - MMX - SSE4 - AVX - SSE3 - EM64T - SSE - SSE4.1 - FMA3 - SSE4.2 - Supplemental SSE3 - AES - AVX 2.0
کالاهای همراه: ستیکر لوگوی Intel
مشخصات تکمیلی: پشتیبانی از حداکثر حافظه 64 گیگابایت
سایز Die: 257 میلیمتر مربع
سایر مشخصات |
سایر قابلیت ها |
SSE2 - F16C - MMX - SSE4 - AVX - SSE3 - EM64T - SSE - SSE4.1 - FMA3 - SSE4.2 - Supplemental SSE3 - AES - AVX 2.0 |
مشخصات تکمیلی |
پشتیبانی از حداکثر حافظه 64 گیگابایت |
نوع حافظه پشتیبانی شده |
( DDR3 ( PC3 |
کالاهای همراه |
ستیکر لوگوی Intel |
ویژگی های عمومی |
Lithography |
22 نانومتر |
Transistors |
1.860 میلیارد |
سازنده |
اینتل |
سایز Die |
257 میلیمتر مربع |
سوکت |
LGA 2011-v3 Intel |
مدل |
Ivy Bridge-E |
عملکرد پردازشی |
Multiplier Factor |
39 |
Thread of Core |
8 رشتهای |
بسامد مبنا |
100 مگاهرتز |
تعداد هسته |
4 هستهای |
توضیحات وضعیت ضرب کننده |
باز (Unlocked) |
فرکانس مرجع |
3.9 گیگاهرتز |
قدرت طراحی حرارتی |
130 وات |